Uma empresa emergente norte-americana afirma ter conseguido viabilizar uma nova tecnologia capaz de criar uma "memória universal", uma nova memória de computador que utiliza o fenômeno quântico do spin do elétron. Além de não perder dados quando a energia é desligada, a nova memória é mais rápida e pode ser miniaturizada além do que é possível com as memórias atuais.
Já existem memórias ferromagnéticas disponíveis no mercado. As MRAM (memórias magnetoresistivas) não chegaram a ser produzidas pelos grandes fabricantes, aparentemente porque não se adequam aos processos de fabricação abaixo dos 90 nanômetros. Mas as memórias de alteração de fase já estão se aproximando da comercialização (veja mais em As sucessoras das memórias flash).
A nova memória, desenvolvida pela empresa Grandis, foi batizada de STT-RAM - "Spin-Transfer Torque RAM", algo como memória de acesso aleatório de transferência de torque por meio do spin.
A transferência de torque por meio da rotação do spin (STT - spin-transfer torque) é um fenômeno físico que foi previsto teoricamente em 1996 e somente testado experimentalmente em 2000. Mas as correntes elétricas necessárias para fazer o chaveamento entre as polaridades magnéticas eram elevadas demais para permitir a fabricação de qualquer dispositivo prático.
A transferência de torque por meio da rotação do spin (STT - spin-transfer torque) é um fenômeno físico que foi previsto teoricamente em 1996 e somente testado experimentalmente em 2000. Mas as correntes elétricas necessárias para fazer o chaveamento entre as polaridades magnéticas eram elevadas demais para permitir a fabricação de qualquer dispositivo prático.
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